Японская корпорация NEC успешно завершила разработки новой памяти MRAM, совместимой с SRAM способной работать на частоте 250 МГц – самой быстрой частоте для MRAM. Ожидается, что MRAM будет основной технологией следующего поколения памяти, так как предоставляет сверх большие скорости работы, способность сохранять информацию даже при прекращении питания и неограниченное количество циклов перезаписи. Проверки новой памяти на уровне скорости SRAM показали, что разработанная MRAM может использоваться в системах LSI для замены памяти SRAM в будущем.
Состоящий из ячейки памяти с двумя транзисторами, одним магнитным туннельным соединением и заново разработанной схемой цепи новый чип достигает скорости работы 250 МГц – удвоенной скорости работы стандартной MRAM и почти эквивалентной скорости последней LSI-встроенной SRAM.