На международной конференции по полупроводниковым интегральным микросхемам (International Solid-State Circuits Conference, ISSCC) компания Toshiba поделилась очередными результатами своих разработок в области энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (FeRAM или FRAM).

Был продемонстрирован чип плотностью 128 Мбит, изготовленный с соблюдением норм 130 нм. По словам Toshiba, размер ячейки памяти составляет 0,252 кв.мкм, скорости чтения и записи равны 1,6 ГБ/с, длительность цикла обращения составляет 83 нс, а время выборки — 43 нс. На данный момент, продемонстрированная Toshiba память имеет лучшее сочетание плотности и быстродействия, когда-либо достигнутое при создании энергонезависимой памяти.

В новой памяти используется усовершенствованная архитектура ChainFeRAM, позволившая преодолеть одно из ограничений FeRAM — ухудшение характеристик с уменьшением размера ячеек. До настоящего времени это и другие ограничения не позволяли расширить область применения FeFRAM и вывести ее за пределы определенных ниш. Обычно применение FeFRAM ограничивается заменой SRAM во встраиваемых системах. Поэтому новую разработку Toshiba вполне можно считать шагом на пути к превращению FeRAM в «универсальную память», которая, как ожидается, однажды вытеснит флэш-память и память типа DRAM.