Компания Hynix Semiconductor сообщила о разработке микросхем памяти DRAM DDR3 плотностью 1 Гбит, рассчитанных на производство по нормам 40 нм.
Максимальная скорость обмена данными, обеспечиваемая новыми микросхемами, равна 2133 Мбит/с. Микросхемы работоспособны в широком диапазоне напряжений питания. Серийный выпуск изделий начнется в третьем квартале 2009 года, обещает компания.

По сравнению с аналогичными продуктами, изготавливаемыми по нормам 50 нм, общую производительность памяти удалось повысить более чем на 50%. Такой результат получен на только за счет уменьшения структур при переходе к более тонким нормам — компания применила «трехмерные транзисторы», которые отличаются уменьшенным током утечки и пониженным энергопотреблением.

Hynix рассчитывает на применение памяти, изготавливаемой по нормам 40 нм, в модулях памяти DDR3. Кроме того, компания планирует применить новую технологию для производства памяти для мобильных устройств и графических ускорителей.